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8486202100 制造半导体器件或集成电路用化学气相沉积装置(化学气相沉积装置(CVD))
商品编码 | 8486202100 | ||||
商品名称 | 制造半导体器件或集成电路用化学气相沉积装置(化学气相沉积装置(CVD)) | ||||
申报要素 | 0:品牌类型;1:出口享惠情况;2:用途;3:功能;4:品牌;5:型号;6:GTIN;7:CAS; | ||||
法定第一单位 | 台 | 法定第二单位 | 无 | ||
最惠国进口税率 | 0% | 普通进口税率 | 30% | 暂定进口税率 | - |
消费税率 | - | 增值税率 | 16% | ||
出口关税率 | 0% | 出口退税率 | 16% | ||
海关监管条件 | 无 | 检验检疫类别 | 无 | ||
商品描述 | 1.金属有机物化学气相淀积设备;2.用于制造外延片;3.由压力控制,温度控制,反应室等子系统通过计算机软件连接组成,可按照设计需求独立设定气流,压力,温度等工艺参数值,制备满足设计需求的外延片;4.无品牌;5.无型号 | ||||
英文名称 | Chemical Vapour Deposition(CVD)equipment for the manufacture of semiconductor devices or of electronic integrated circuis |
所属分类及章节
类目 | 第十六类 机器、机械器具、电气设备及其零件;录音机及放声机、电视图像、声音的录制和重放设备及其零件、附件(84~85章) |
章节 | 第八十四章 核反应堆、锅炉、机器、机械器具及其零件 |
申报实例汇总
商品编码 | 商品名称 |
8486202100 | 预镀膜机(旧) |
8486202100 | 镀膜机 |
8486202100 | 钨膜化学气相沉积设备 |
8486202100 | 金属有机物化学气相淀积设备 |
8486202100 | 金属有机物化学气相沉积设备 |
8486202100 | 金属有机物化学气相沉积系统 |
8486202100 | 金属有机物化学气相沉积台 |
8486202100 | 金属有机物化学气相沉淀炉 |
8486202100 | 金属有机源气相沉积设备 |
8486202100 | 金属有机化合物气相淀积法设备/成套散件 |
8486202100 | 金属有机化合物气相淀积法设备 |
8486202100 | 酸化膜成长装置 |
8486202100 | 连续式电子束蒸发系统 |
8486202100 | 背封炉(旧) |
8486202100 | 等离子沉积设备(旧) |
8486202100 | 等离子增强型化学气相沉积台(旧) |
8486202100 | 等离子增强化学气象沉积系统(见清单) |
8486202100 | 等离子增强化学气相沉积装置 |
8486202100 | 等离子增强化学气相沉积系统 |
8486202100 | 等离子增强化学气相沉积硅镀膜系统主机 |
8486202100 | 等离子增强化学气相沉积硅镀膜系统 |
8486202100 | 等离子化学气相沉积装置 |
8486202100 | 等离子加强型化学气体淀积装置 |
8486202100 | 等离子体增强化学气相沉积装置 |
8486202100 | 等离子体CVD纳米材料生长系统 |
8486202100 | 立式扩散炉(旧)01年产,已用17年,还可用8年 |
8486202100 | 磁性薄膜联合生长系统 |
8486202100 | 电浆辅助化学气相沉积系统 |
8486202100 | 电浆辅助化学气相沉积仪(旧) |
8486202100 | 电浆辅助化学气相沉积(旧) |
8486202100 | 水平化学气相沉积装置(旧) |
8486202100 | 气体混合柜成套散件/RESI |
8486202100 | 材料沉积系统(实验室用) |
8486202100 | 有机金属化学气相沉积炉 |
8486202100 | 旧钨化学气相沉积装置 |
8486202100 | 旧化学气相沉积装置,原价JPY4000000/台 |
8486202100 | 旧低压化学气相沉积装置,原价JPY4000000/台 |
8486202100 | 微波辅助化学气相沉积系统 |
8486202100 | 射频等离子增强化学气相沉积系统 |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)97# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)94# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)92# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)86# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)83# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)82# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)77# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)76# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)4033# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)4032# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)4030# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)4028# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)4027# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)4026# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)4024# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)4023# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)4022# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)4021# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)4020# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)4019# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)4018# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)4016# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)4015# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)4014# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)4013# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)4012# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)4011# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)4010# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)4007# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)4005# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)4003# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)4002# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)4001# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)361# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)357# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)355# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)354# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)352# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)350# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)347# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)345# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)343# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)342# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)341# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)340# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)339# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)338# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)337# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)336# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)335# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)334# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)332# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)331# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)330# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)329# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)328# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)327# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)326# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)325# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)324# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)322# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)321# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)319# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)317# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)316# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)315# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)314# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)313# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)312# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)311# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)310# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)309# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)305# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)303# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)120# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)118# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)116# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)115# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)114# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)113# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)109# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)108# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)107# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)105# |
8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)104# |
8486202100 | 太阳能电池镀膜装置(旧) |
8486202100 | 太阳能减反射膜制造设备 |
8486202100 | 外延炉 |
8486202100 | 垂直化学气相沉积装置(旧) |
8486202100 | 团簇式多腔体等离子增强化学气相沉积系统 |
8486202100 | 原子层沉积系统 |
8486202100 | 卷对卷化学气相沉积装置R2R CHEMICAL VAPOR |
8486202100 | 卧式低压化学气相沉积炉管系统;制造器件沉积薄膜;低压化学气相沉积;SVCS |
8486202100 | 化学气象沉积装置 |
8486202100 | 化学气相淀积设备(旧) |
8486202100 | 化学气相淀积设备(旧)98年产,已用20年,还可用6年 |
8486202100 | 化学气相淀积设备(旧)00年产,已使用18年,还可用7年 |
8486202100 | 化学气相淀积设备(旧)00年产,已用18年,还可用7年 |
8486202100 | 化学气相沉积设备(旧) |
8486202100 | 化学气相沉积设备/WJ牌 |
8486202100 | 化学气相沉积设备/NOVELLUS/在 |
8486202100 | 化学气相沉积设备(旧) |
8486202100 | 化学气相沉积设备 |
8486202100 | 化学气相沉积装置(旧) |
8486202100 | 化学气相沉积装置 |
8486202100 | 化学气相沉积系统(旧) |
8486202100 | 化学气相沉积炉(旧) |
8486202100 | 化学气相沉积炉 |
8486202100 | 化学气相沉淀机(旧) |
8486202100 | 制造半导体器件或集成电路用化学气相沉积装置 |
8486202100 | 减反射膜制造设备(新格拉斯牌) |
8486202100 | 减反射膜制造设备 |
8486202100 | 低压化学气相沉积装置(旧)01年产,已用17年,还可用8年 |
8486202100 | 低压化学气相沉积氧化锌镀膜系统 |
8486202100 | TCO化学气相沉积系统 |
8486202100 | PECVD设备(旧) |
8486202100 | PECVD硅片镀膜机(旧) |
8486202100 | PECVD沉积设备(等离子增强化学气相沉积系统) |
8486202100 | PECVD化学气相沉积设备 |
8486202100 | PECVD减反射膜制造设备 |
8486202100 | PECVD 减反射膜制造设备 |
8486202100 | IC淀积炉 |
8486202100 | CVD |
8486202100 | C-1淀积炉 |
8486202100 | (旧)常压化学气相沉积设备 |